Cat-CVD研究会2026年6月18日(木)、19日(金)
令和8年6月18日(木),19日(金)
会場:旧大連航路上屋 ホール(2階),福岡県北九州市門司区
12:30-13:25 研究会 受付
13:25-13:30 オープニング
13:30-14:40 オーラルセッション1
S01 13:30-14:00 招待講演
有機太陽電池の用途開拓と社会実装に向けた研究開発
中野 正浩* (金沢大学)
O01 14:00-14:20
ニューラルネットワークポテンシャルを用いたALDプロセス表面反応過程の分子動力学計算
霜垣 幸浩* (東京大学/北海道大学)
O02 14:20-14:40
Cat-CVDで堆積した窒化Si膜の湿熱試験によるガスバリア性能の変化
大平 圭介1, *,福田 雅之2 (北陸先端科学技術大学院大学1,東洋紡2)
14:40-15:00 休憩
15:00-16:40 ポスターセッション
前半 (15:10-16:00)
奇数番のポスター発表
後半 (16:00-16:50)
偶数番のポスター発表
16:40-16:50 休憩
16:50-17:40 特別セッション
S02 16:50-17:10 依頼講演
Cat-CVD技術に関する国際会議の動向
松村 英樹* (北陸先端科学技術大学院大学 名誉教授)
S03 17:10-17:40 依頼講演
物理気相成長法によるダイヤモンドの創製:Quenched-produced diamond(Q-dia)
吉武 剛* (九州大学)
ポスターセッション
P01
ホットワイヤーCVD法を用いて表面粗さの異なる金属基板上に堆積させたSiCN膜の折り曲げ評価
原 実希*,片宗 優貴,和泉 亮 (九州工業大学)
P02
Thickness and Deposition Parameter Dependence of the Passivation Characteristics of Non-Stoichiometric Cat-CVD Silicon Nitride Films
Yuehong Shan*, Kensaku Maeda, Keisuke Ohdaira (北陸先端科学技術大学院大学)
P03
Cat-CVD 法によるSiOxNyパッシベーション膜の固定電荷・界面準位評価
宋 一諾*,前田 健作,大平 圭介 (北陸先端科学技術大学院大学)
P04
HWCVD法における希釈ガス種がSiCN膜の硬度に及ぼす影響
目野 由人*,片宗 優貴,和泉 亮 (九州工業大学)
P05
Siヘテロ接合太陽電池へのCat-CVD法による窒化シリコン膜堆積
Guo Lin*,前田 健作,大平 圭介(北陸先端科学技術大学院大学)
P06
⽔蒸気添加NH3雰囲気下でのアニール処理による低温SiO2膜中のOH除去に関する検討
永江 祥也*,丸橋 恒太,小佐々 誠,片宗 優貴,和泉 亮,堀田 將(九州工業大学,北陸先端科学技術大学院大学)
P07
加熱触媒体線を用いた原子状水素ラジカル生成によるダイヤモンド水素終端チャネルの低温(<350℃)形成
野田 和哉*,白髪 純也,蔭浦 泰資,大曲 新矢 (産業技術総合研究所)
P08
水素ラジカルに対するナノカーボン膜のエッチング耐性の評価
樋口 稜将*,楢木野 宏,吉武 剛,片宗 優貴 (九州工業大学)
P09
Cat-CVD装置での水素ラジカル処理における水素ガス流量がTOPCon構造のパッシベーション性能に与える影響
Yin Duanyi*,前田 健作,大平 圭介 (北陸先端科学技術大学院)
P10
ペンタセン、ジヒドロペンタセンと原子状水素の反応の相違点
牧之瀬 駿輔*,住友 弘二,部家 彰 (兵庫県立大学)
P11
モリブデン触媒体を用いた縦型ホットワイヤー装置による酸化銅の低温還元
土屋 凜晟*,波江 要芽,森永 楓,片宗 優貴,和泉 亮 (九州工業大学)
P12
多段階積層HWアニール法による低温SiO2膜の改質
小佐々 誠*,永江 祥也,丸橋 恒太,片宗 優貴,和泉 亮,堀田 將 (九州工業大学,北陸先端科学技術大学院大学)
P13
ホットワイヤー法によるアンモニア・水素分解種を用いた低温Si酸化膜の残留OH基除去の検討
丸橋 恒太*,小佐々 誠,永江 祥也,片宗 優貴,和泉 亮,堀田 將 (九州工業大学,北陸先端科学技術大学院大学)
P14
レーザー補助FLAによるCat-CVD a-Si膜の結晶化の起点形成効果
島袋 颯馬*,前田 健作,大平 圭介 (北陸先端科学技術大学院大学)
P15
熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド (111) 基板上のエピタキシャル成長と高濃度ホウ素ドーピング
大曲 新矢*,白髪 純也,野田 和哉,Mohamed Diab (産業技術総合研究所)
P16
ホットチューブCVD法を用いたダイヤモンド合成による基板温度とチューブ温度の影響
川井 晧貴*,田中 一平 (兵庫県立大学)
P17
大面積ダイヤモンド薄膜成長用HFCVD装置の開発状況
大谷 亮太*,髙井良 真里奈,大曲 新矢 (株式会社ExtenD,オーエスラボラトリー)
P18
CO₂を炭素源としたCat-CVD法による炭素膜形成
駒川 尚信*,住友 弘二,部家 彰 (兵庫県立大学)
P19
固体シリコン源を用いて成長した窒素添加多結晶ダイヤモンド膜のフォトルミネッセンス評価
奥野 宇宙*,和泉 亮,片宗 優貴 (九州工業大学)
P20
ダイヤモンド電極を用いた赤ワインの化学指紋情報の取得と1次元畳み込みニューラルネットワークを用いたスペクトル解析
中山 凜*,髙井良 真里奈,北市 充,大曲 新矢 (株式会社ExtenD)
P21
単結晶ダイヤモンド基板上の金属膜の熱的安定性の評価
助信 羽瑠人*,和泉 亮,片宗 優貴 (九州工業大学)
P22
ウェット剥離法を用いた低ダメージなダイヤモンドメンブレンの作製
中原 大葉*,楢木野 宏,吉武 剛,大曲 新矢 (産業技術総合研究所,九州大学)
P23
多結晶ダイヤモンド膜の摩擦特性における異常成長粒の影響
山口 大雄*,和泉 亮,片宗 優貴 (九州工業大学)
9:00-9:20 研究会 受付
9:20-10:10 オーラルセッション2
S04 9:20-9:50 招待講演
HFCVD装置で作製したホウ素ドープダイヤモンド電極の電気化学センサ応用
栗原 香* (株式会社Deevec)
O03 9:50-10:10
同軸型アークプラズマ成膜法を用いた窒素ドープナノダイヤモンド被膜による燃料電池用高耐久性触媒担体の作製
渡辺 観侃*,御園 樹,城石 英伸,楢木野 宏,吉武 剛 (九州大学)
10:10-10:20 休憩
10:20-11:10 オーラルセッション3
S05 10:20-10:50 招待講演
HFCVD法を用いたダイヤモンドホモエピタキシーにおける成長モードと金属取り込みの制御
市川 公善*,小林 和樹,松本 翼,猪熊 孝夫,徳田 規夫 (金沢大学)
O04 10:50-11:10
Bias-Induced Glow-Discharge Nucleation Enables Scalable Wafer-Scale and Tool-Grade Diamond Growth in Hot-Filament CVD
Mohamed Ragab Diab*,白髪 純也,大曲 新矢 (産業技術総合研究所)
11:10-11:20 休憩
11:20-12:20 オーラルセッション4
O05 11:20-11:40
原子状水素照射したダイヤモンドライクカーボンに対する表面分析
春山 雄一*,部家 彰,住友 弘二,伊藤 省吾 (兵庫県立大学)
O06 11:40-12:00
原子状水素検出用DLCコートQCMセンサの特性評価
部家 彰*,新原 晴太,田中 一平,住友 弘二 (兵庫県立大学)
O07 12:00-12:20
Hot-wire法で窒化したSiC表面のXPS分析
奥 友希*,西口浩平,戸塚正裕,中川康幸 (三菱電機株式会社)
12:20-12:30 クロージング
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