Cat-CVD研究会

9:00～10:00　研究会　受付

10:00～10:05　開会挨拶
（実行委員長：岐阜大学　伊藤 貴司）

10:05～10:35　特別講演Ⅰ　

S-01　：　10:05～10:35
　ダイヤモンド電子舌センサ
　大曲　新矢
　産業技術総合研究所

S-02　：　10:35～11:05
　低温プロセスにおけるラジカルの効果
　武山　眞弓，佐藤 勝
　北見工業大学

S-03　：　11:05～11:35
　5ー10 ミクロン/分 を超える高速製膜Cat-CVD法
　松村　英樹
　北陸先端科学技術大学院大学

11:35～13:00　休憩

13:45～14:30　特別講演Ⅱ

S-04　：　13:00～13:30
　Cat-CVD の化合物半導体デバイスへの適用
　奥 友希，戸塚 正裕，西口 浩平，佐々木 肇
　三菱電機株式会社

S-05　：　13:30～14:00
　加熱触媒により生成した分解種による表面処理
　和泉　亮
　九州工業大学

S-06　：　14:00～14:30
　硫化モリブデン薄膜の酸素化・水素化によるp型化及びN型化について
　土田 正道，許 誠浩，清水 耕作
　日本大学

14:30～14:45　休憩

14:45～16:15　特別講演Ⅲ

S-07　：　14:45～15:15
　原子状水素アニールによる表面改質
　部家 彰，住友 弘二
　兵庫県立大学

S-08　：　15:15～15:45
　Cat-CVDによるペロブスカイト太陽電池への窒化Si膜堆積
　大平 圭介，Huynh Thi Cam Tu
　北陸先端科学技術大学院大学

15:45～16:00　休憩

S-09　：　16:00～16:30
　電気二重層キャパシタ用カーボンナノウォール電極の開発
　伊藤 貴司，原 拓也，石川 弘明，大野 純弥，田邉 耕生，田中 賀久，山田 繁
　岐阜大学

O-01　：　16:30～16:45
　Cat-CVD法によるSi低温エピタキシャル成長膜の構造特性評価
　新倉 ちさと，廣戸 孝信，高野 美和子，李 玲穎，三成 剛生
　物質・材料研究機構

16:45～18:15　ポスターセッション

P-01
　触媒体線の加熱による低侵襲なダイヤモンド水素終端チャネルの形成
　野田 和哉，白髪 純也，蔭浦 泰資，大曲 新矢
　産業技術総合研究所

P-02
　縦型ホットワイヤー装置による試料表面に対する輻射熱抑制
　土屋 凜晟，森永 楓，片宗 優貴，和泉 亮
　九州工業大学

P-03
　ホットワイヤーを用いた NH3 分解種による低温酸化 Si 膜表面の構造変化
　Kim Minwoo，小佐々 誠，堀田 將，片宗 優貴，和泉 亮
　九州工業大学，北陸先端科学技術大学院大学

P-04
　原子状水素アニールによる高分子電解質膜の表面形態の変化と反応機構
　北山 育暉，住友 弘二，部家 彰
　兵庫県立大学

P-05
　高分子膜/水晶振動子を用いた原子状水素センサの開発
　藤野 雄飛，住友 弘二，部家 彰
　兵庫県立大学

P-06
　原子状水素を用いたレジスト密度分布評価の検討
　井手 哉斗，住友 弘二，山川 進二，原田 哲男，部家 彰
　兵庫県立大学

P-07
　水素ラジカル処理による Si/SiO₂多層膜中への水素拡散
　井上 暁広，藤澤 知輝，出戸 智大，松尾 直紀，江畑 裕登，西 悠貴，山田 繁，伊藤 貴司
　岐阜大学

P-08
　カーボンナノウォールのウォール先端への絶縁膜コーティング
　石川 弘明，原 拓矢，山田 繫，伊藤 貴司
　岐阜大学

18:15～18:25　閉会挨拶
（実行委員長：岐阜大学　伊藤 貴司）

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