Cat-CVD研究会

9:00～10:00　研究会　受付

10:00～10:05　開会挨拶
（実行委員長：岐阜大学　伊藤 貴司）

10:05～10:35　特別講演Ⅰ　

S-01　：　10:05～10:35
　ダイヤモンド電子舌センサ
　大曲　新矢
　産業技術総合研究所

S-02　：　10:35～11:05
　低温プロセスにおけるラジカルの効果
　武山　眞弓，佐藤 勝
　北見工業大学

S-03　：　11:05～11:35
　5ー10 ミクロン/分 を超える高速製膜Cat-CVD法
　松村　英樹
　北陸先端科学技術大学院大学

11:35～13:00　休憩

13:45～14:30　特別講演Ⅱ

S-04　：　13:00～13:30
　Cat-CVD の化合物半導体デバイスへの適用
　奥 友希，戸塚 正裕，西口 浩平，佐々木 肇
　三菱電機株式会社

S-05　：　13:30～14:00
　加熱触媒により生成した分解種による表面処理
　和泉　亮
　九州工業大学

S-06　：　14:00～14:30
　硫化モリブデン薄膜の酸素化・水素化によるp型化及びN型化について
　土田 正道，許 誠浩，清水 耕作
　日本大学

14:30～14:45　休憩

14:45～16:15　特別講演Ⅲ

S-07　：　14:45～15:15
　原子状水素アニールによる表面改質
　部家 彰，住友 弘二
　兵庫県立大学

S-08　：　15:15～15:45
　Cat-CVDによるペロブスカイト太陽電池への窒化Si膜堆積
　大平 圭介，Huynh Thi Cam Tu
　北陸先端科学技術大学院大学

S-09　：　15:45～16:15
　電気二重層キャパシタ用カーボンナノウォール電極の開発
　伊藤 貴司，原 拓也，石川 弘明，大野 純弥，田邉 耕生，田中 賀久，山田 繁
　岐阜大学

16:15～16:30　休憩

16:30～17:00　一般講演

O-01　：　16:30～16:45
　触媒体線の加熱による低侵襲なダイヤモンド水素終端チャネルの形成
　野田 和哉，白髪 純也，蔭浦 泰資，大曲 新矢
　産業技術総合研究所

O-02　：　16:45～17:00
　Cat-CVD法によるSi低温エピタキシャル成長膜の構造特性評価
　新倉 ちさと，廣戸 孝信，高野 美和子，李 玲穎，三成 剛生
　物質・材料研究機構

17:00～18:30　ポスターセッション

18:30～18:35　閉会挨拶
（実行委員長：岐阜大学　伊藤 貴司）

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